Samsung revela zHBM, memoria apilada sobre la GPU

Maqueta de la nueva memoria de Samsung exhibida en una feria de semiconductores en Estados Unidos

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Al 6 de agosto de 2026, Samsung Electronics presentó por primera vez en el mundo 'zHBM', una nueva estructura que apila memoria justo encima del procesador. La tecnología se mostró como modelo conceptual en la feria FMS 2026, celebrada en Estados Unidos, y se espera que ofrezca un rendimiento muy superior al del HBM5, la octava generación de memoria de alto ancho de banda.

hasta 4-8 vecesMejora de rendimiento esperada de zHBM frente al HBM5 de próxima generación
más de 3 vecesMejora esperada en eficiencia energética de zHBM frente al HBM5
más de 400 capasCapas de apilamiento del NAND V10 BV, presentado por primera vez en el mundo
58%Aumento en la densidad de memoria del NAND V10 BV respecto a la generación anterior

Puntos clave

  • Samsung presentó en la feria FMS 2026, en Santa Clara (Estados Unidos), el modelo conceptual de zHBM, una estructura que apila memoria justo encima del procesador, por primera vez en el mundo.
  • Se espera que zHBM ofrezca entre 4 y 8 veces más rendimiento y una eficiencia energética 3 veces mayor que el HBM5, memoria que aún no se ha comercializado.
  • En el mismo evento, Samsung reveló también el NAND V10 BV, con más de 400 capas, y el zNAND-O, pensado para inteligencia artificial en el propio dispositivo, ambos también por primera vez en el mundo.
  • Samsung destacó su capacidad integrada en memoria, semiconductores lógicos, fundición (foundry) y empaquetado avanzado para ofrecer soluciones completas de semiconductores de IA.

Samsung subió al escenario de FMS 2026 (Future of Memory and Storage), la mayor feria del mundo dedicada a memoria y almacenamiento, celebrada durante tres días en California, Estados Unidos, y presentó por primera vez en el mundo el modelo conceptual de su nueva estructura de memoria zHBM. El evento se realizó del 4 al 6 de agosto, y Samsung exhibió en su estand más de 30 productos que abarcan DRAM, NAND y soluciones de almacenamiento, con un diseño inspirado en la forma de un servidor de nube para inteligencia artificial que llamó la atención de los visitantes.

A diferencia del método tradicional, que coloca la memoria junto a la unidad de procesamiento gráfico (GPU) o al acelerador de IA, zHBM apila la memoria justo en la capa superior del procesador. Samsung explicó que, frente al HBM5 —la octava generación del estándar de memoria de alto ancho de banda (High Bandwidth Memory), que aún no se comercializa—, la nueva estructura ofrece un rendimiento hasta 4 a 8 veces mayor y una eficiencia energética superior a 3 veces. La compañía también prevé que la resistencia térmica, es decir, la dificultad para disipar el calor, se reduzca a menos de la mitad, y señaló que es posible ajustar la capacidad y el rendimiento incorporando diseños personalizados por cliente en la interfaz entre la memoria y el acelerador.

En el mismo evento, Samsung presentó también por primera vez en el mundo el nuevo NAND V10 BV, con una estructura apilada de más de 400 capas. Según la compañía, la combinación de una técnica de unión vertical entre celdas y circuitos fabricados por separado, el bonding de obleas y un proceso de fabricación dividido en tres etapas permitió elevar la densidad de memoria un 58% respecto a la generación anterior. Samsung explicó además que su estructura zNAND-O, que guarda en el NAND solo las partes de los datos de los grandes modelos de IA que se consultan con más frecuencia, puede reducir el costo de construir memoria a cerca de una sexta parte, sin sacrificar rendimiento.

En el discurso inaugural del evento, un directivo del área de desarrollo de DRAM de Samsung explicó que, con el auge de la IA agéntica, el volumen de tokens usado en tareas de inferencia se multiplicó por más de 100 en los últimos dos años, lo que convirtió a la memoria en el cuello de botella de los sistemas de inteligencia artificial. El vicepresidente Lee Jin-yup, de Samsung, afirmó que la compañía es la única capaz de abarcar memoria, semiconductores lógicos, fundición y empaquetado avanzado a la vez, y señaló que buscará apoyarse en esa capacidad para ofrecer soluciones integrales para todo el espectro de semiconductores de IA.

Ahora en CoreaEn la bolsa de Seúl, las acciones de Samsung Electronics subieron 2,5% respecto a la rueda anterior y cerraron en 246.000 wones (unos USD 178), lo que reflejó el buen ánimo inversor. En Corea, varios analistas destacan que la capacidad integrada de la compañía en memoria, semiconductores lógicos y empaquetado vuelve a ganar protagonismo. Con todo, persisten voces cautas que advierten que aún falta tiempo para validar el rendimiento real de zHBM y para que la tecnología consiga clientes.

Preguntas frecuentes

¿En qué se diferencia zHBM del HBM tradicional?

El HBM tradicional se coloca al costado del procesador, mientras que zHBM se apila verticalmente encima de él, lo que reduce la distancia que deben recorrer los datos.

¿Cuándo empezará a usarse zHBM en productos reales?

Lo presentado es un modelo conceptual; todavía no hay una fecha de comercialización confirmada.

¿Qué es FMS 2026?

Es la mayor feria del mundo especializada en memoria y almacenamiento, celebrada en Santa Clara, California, Estados Unidos.

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