サムスン電子、GPU上に積層する「zHBM」世界初公開

サムスン電子は、米カリフォルニア州で3日間にわたって開催されたメモリ・ストレージ分野最大級の展示会「FMS 2026」の舞台で、次世代メモリ構造「zHBM」のコンセプトモデルを世界で初めて公開しました。会期は8月4日から6日までで、サムスン電子はDRAMやNAND、ストレージ製品など30種類あまりを展示。ブースはAIクラウドサーバーの形を模したデザインで来場者の注目を集めました。

zHBMは、これまでGPUやAIアクセラレーターの隣に横並びで配置していたメモリを、処理装置の真上に垂直に積み重ねる構造です。サムスン電子によると、まだ量産化されていない第8世代規格のHBM5と比べて性能は最大4~8倍、電力効率は3倍以上向上するといいます。発熱の目安となる熱抵抗値も半分以下に下がる見通しで、メモリとアクセラレーターの間のインターレイヤーに顧客ごとの設計を組み込み、容量や性能を調整できる点も特徴です。

同じ会場でサムスン電子は、400層を超える積層構造を採用した新型NAND「V10 BVNAND」も世界初公開しました。セルと回路を別々に製造してから垂直に貼り合わせる接合技術と、ウェハー接合、3分割製造方式を組み合わせ、前世代比でメモリ集積度が58%向上したといいます。さらに、大規模AIモデルのデータのうち頻繁に呼び出される部分だけをNANDに保持する「zNAND-O」構造により、性能を落とさずにメモリ構築コストを従来の約6分の1に抑えられると説明しました。

基調講演に登壇したサムスン電子DRAM開発室の幹部は、エージェント型AIの普及に伴い、この2年間で推論作業に使われるトークン量が100倍以上増加し、メモリがAIシステムのボトルネックとして指摘されるようになったと述べました。サムスン電子のイ・ジニョプ副社長は「メモリ、ロジック半導体、ファウンドリー、先端パッケージングまですべてを手がけられるのはサムスンだけだ」と語り、この総合力を武器にAI半導体全領域の統合ソリューションを提供していく考えを示しました。