三星電子首發zHBM 記憶體堆疊於GPU正上方

三星電子在美國加州舉行、為期三天的全球最大規模記憶體暨儲存裝置展會FMS 2026上，全球首度發表次世代記憶體架構zHBM的概念模型。展會於8月4日至6日登場，三星電子在會場展出涵蓋DRAM、NAND與儲存裝置在內的逾30款產品，攤位設計更以人工智慧雲端伺服器的造型呈現，吸引不少目光。

zHBM一改過去將記憶體與GPU、AI加速器並排配置的方式，改採將記憶體直接堆疊在處理器正上方的架構。三星電子表示，相較尚未商用化的第8代規格HBM5，zHBM效能最多可提升4至8倍，電力效率也可望改善3倍以上。代表發熱程度的熱阻數值預期也將降至一半以下，並可在記憶體與加速器之間的中介層置入客製化設計，依客戶需求調整容量與效能。

同場活動中，三星電子也全球首度公開堆疊層數超過400層的NAND新品「V10 BV NAND」。該產品結合先將記憶胞與電路分別製作、再垂直接合的技術，以及晶圓接合與三段式分割製程，使記憶體集成度較前一世代提升58%。三星電子表示，透過將大型AI模型資料中常被呼叫的部分儲存於NAND的「zNAND-O」架構，可在不犧牲效能的情況下，將記憶體建置成本降至原本的約六分之一。

在活動主題演講中，三星電子DRAM開發室主管指出，隨著代理型AI（agentic AI）快速普及，近兩年推論作業所使用的token量已成長逾百倍，也讓記憶體成為AI系統的瓶頸所在。三星電子副總裁李鎮燁則表示，唯有三星同時具備記憶體、邏輯半導體、晶圓代工與先進封裝等完整能力，並以此為基礎，目標提供涵蓋AI半導體全領域的整合解決方案。