Samsung presenta zHBM, memoria 3D 8 veces más rápida

Al 5 de agosto de 2026, Samsung Electronics presentó zHBM, una memoria de próxima generación con estructura tridimensional que se apila verticalmente sobre el propio chip acelerador de inteligencia artificial. Frente al HBM5, la memoria de alto ancho de banda aún en desarrollo, la compañía asegura un rendimiento hasta 8 veces mayor por unidad de GPU y una eficiencia energética hasta 3 veces superior. En el mismo evento, SK Hynix presentó el estándar HBF, una nueva capa de memoria basada en NAND, apostando por una estrategia diferente.

8 vecesMejora máxima de rendimiento de zHBM por GPU frente al HBM5

3 vecesMejora en eficiencia energética (rendimiento por vatio) de zHBM frente al HBM5

1/6Reducción del costo de memoria al ejecutar un modelo de 120,000 millones de parámetros con zNAND-O

400+ capasCapas apiladas de la V-NAND de 10ª generación presentada por primera vez

Puntos clave

Samsung mostró por primera vez un modelo físico de la estructura zHBM durante el discurso principal de un evento de la industria de memoria en Estados Unidos.
A diferencia del método tradicional, que coloca la memoria junto al acelerador, zHBM la apila directamente sobre el chip para reducir la distancia que deben recorrer los datos.
Según la compañía, la solución NAND para IA en el dispositivo, zNAND-O, reduce a una sexta parte el costo de memoria al ejecutar un modelo de 120,000 millones de parámetros.
SK Hynix, junto con SanDisk, presentó en el mismo evento el estándar HBF, apostando por un ecosistema abierto que varias empresas puedan usar en conjunto.

En medio de diagnósticos que apuntan a que el cuello de botella de los semiconductores de IA se está desplazando del chip de cálculo hacia la memoria, las dos grandes fabricantes surcoreanas de memoria subieron juntas al escenario del mayor evento mundial de memoria y almacenamiento, celebrado en California, Estados Unidos. Ambas compañías coincidieron en que el explosivo aumento de tokens procesados durante la inferencia de IA en los últimos años ha hecho que las estructuras de memoria convencionales ya no puedan seguir el ritmo de la velocidad de procesamiento requerida. La presentación se realizó el día anterior, según hora local.

La solución que propone Samsung Electronics es apilar la memoria en vertical, en lugar de distribuirla en el plano horizontal. zHBM apila la memoria de alto ancho de banda —que antes se ubicaba junto al acelerador— directamente sobre el chip, reduciendo así la distancia que deben recorrer las señales. La compañía aplicó tecnología de unión de obleas completas y conexión directa de cobre para aumentar considerablemente la densidad del cableado, lo que además redujo la resistencia térmica a entre 10% y 25% respecto al HBM5 aún en desarrollo. El ejecutivo a cargo de la presentación señaló que, más que un producto genérico, buscarán desarrollarlo en conjunto con los fabricantes de procesadores desde las primeras etapas de diseño.

La estrategia tridimensional también se extendió al almacenamiento. Samsung Electronics presentó, por primera vez en la industria, la V-NAND de 10ª generación con más de 400 capas apiladas, junto con zNAND-O, una solución especializada para IA en el dispositivo que agrupa varias de estas capas. Esta estructura destina los datos temporales que requieren procesamiento rápido a la memoria DRAM, mientras que los modelos de IA de gran tamaño se almacenan en memoria basada en NAND; las muestras para producción en masa estarán disponibles a partir de 2028.

SK Hynix optó por un camino distinto. Junto con SanDisk, la compañía completó y presentó el estándar HBF, que apila NAND en 8 o 16 capas para ofrecer una capacidad de hasta 512 gigabytes y una velocidad de transferencia de hasta 3 terabytes por segundo. El diseño adopta UCIe, un estándar de conexión común de la industria, para poder acoplarse con flexibilidad a distintos procesadores; Google y Tenstorrent participaron en el proceso de estandarización. A diferencia de Samsung, que busca integrar todo el proceso internamente, SK Hynix apuesta por ampliar una plataforma que varias empresas puedan compartir.

El contexto del mercado también explica el momento de estos anuncios. Samsung Electronics mantuvo el primer lugar mundial en ingresos por memoria durante el primer trimestre de este año, y las consultoras de mercado prevén que el tamaño total del mercado de memoria se expandirá considerablemente el próximo año respecto a este. Una firma de investigación francesa proyectó que Corea del Sur mantendrá su liderazgo en el sector de memoria durante los próximos años, apoyándose en la mayor inversión de ambas compañías y el respaldo gubernamental, aunque señaló como nueva variable la aceleración en el ciclo de desarrollo de nuevos productos a medida que el mercado de IA se desplaza del entrenamiento hacia la inferencia.

Ahora en CoreaEn Corea del Sur, el anuncio despertó atención por el hecho de que las dos compañías apostaron por caminos claramente distintos. En el mercado bursátil, las acciones de Samsung Electronics y SK Hynix registraron leves alzas tras la presentación, mientras analistas señalan que la clave estará en si la estrategia de integración vertical de Samsung logra ser adoptada por grandes clientes, y en cuántas empresas se suman al estándar abierto de SK Hynix. También generó eco el pronóstico de una consultora extranjera de que Corea del Sur conservará su posición dominante en memoria hasta 2031.

Preguntas frecuentes

¿En qué se diferencia zHBM de la HBM tradicional?

La HBM tradicional se ubica junto al acelerador de IA, mientras que zHBM apila la memoria directamente sobre el chip acelerador, minimizando la distancia que deben recorrer los datos.

¿Cómo se diferencia el HBF de SK Hynix del zHBM?

El HBF es una capa de memoria basada en NAND flash con capacidad mucho mayor; no reemplaza a la HBM, sino que se usa junto a ella para reforzar la inferencia de IA a gran escala.

¿Cuándo estarán disponibles estas tecnologías en productos reales?

Las muestras de producción de zNAND-O estarán disponibles desde 2028, mientras que la industria proyecta que la comercialización plena de capas de memoria basadas en NAND, incluido el HBF, llegará alrededor de 2030.