三星推出zHBM：AI晶片疊記憶體效能達HBM5的8倍

截至2026年8月5日，三星電子首度以實體展示公開新一代3D堆疊記憶體「zHBM」，將記憶體直接垂直堆疊於AI加速器晶片正上方。與研發中的次世代高頻寬記憶體HBM5相比，zHBM在GPU上的效能最高可提升8倍，功耗效率也最高改善3倍。同場活動中，SK海力士則發表以NAND快閃記憶體為基礎的新記憶體階層HBF標準規格，走出截然不同的技術路線。

8倍zHBM相較HBM5，每顆GPU最高效能提升幅度

3倍zHBM相較HBM5，功耗效率提升幅度

1/6採用zNAND-O後，運行1200億參數模型的記憶體成本降幅

400層以上本次首度公開之第10代V-NAND堆疊層數

重點整理

三星電子在美國記憶體業界盛會的主題演講中，首度以實體模型展示zHBM結構。
有別於過去將記憶體與加速器並排放置的方式，zHBM直接將記憶體疊在晶片正上方，大幅縮短資料傳輸距離。
應用於裝置端AI的NAND解決方案zNAND-O，據該公司說明，在運行1200億參數模型時可將記憶體成本降至六分之一。
SK海力士在同場活動與SanDisk共同發表HBF標準規格，主打多家企業共用的開放式生態系策略。

隨著業界不斷提出「AI晶片的瓶頸正逐漸從運算晶片轉移到記憶體」的診斷，韓國兩大記憶體廠商同時登上美國加州舉行、全球規模最大的記憶體暨儲存裝置盛會舞台。近年AI推論過程中消耗的權杖（token）數量急遽增加，兩家公司都認為既有結構的記憶體已難以負荷處理速度的需求。本次發表於當地時間前一天進行。

三星電子提出的解方，是讓記憶體不再往橫向或縱向擴充，而是朝「高度」方向堆疊。zHBM打破過去將高頻寬記憶體放置在加速器旁邊的做法，直接將記憶體疊在晶片正上方，藉此縮短訊號傳輸的實際距離。三星採用整片晶圓對晶圓接合技術，以及銅對銅直接接合的方式，大幅提高配線密度，使熱阻也降至開發中HBM5的10%至25%左右。負責發表的高階主管表示，比起通用型產品，公司將優先與處理器廠商從設計階段就開始合作，走客製化開發路線。

儲存裝置領域同樣延續3D策略。三星電子業界首度公開堆疊超過400層的第10代V-NAND，並同步展示將多層再次整合、專為裝置端應用打造的解決方案zNAND-O。此架構讓需要快速處理的暫存資料交由DRAM負責，而容量龐大的AI模型本身則存放於NAND記憶體，量產樣品預計自2028年起供貨。

SK海力士則選擇了另一條路。該公司與SanDisk共同完成並發表HBF標準規格，將NAND堆疊至8層或16層，最高支援512GB容量、每秒最高3TB的傳輸速度。此規格採用業界共通的UCIe連接標準，可靈活對接不同處理器，Google與Tenstorrent也共同參與了標準化工作。與三星電子力求整合所有製程於內部的做法不同，SK海力士採取的是擴大多家企業共同使用平台的策略。

市場情勢也是本次發表的背景之一。三星電子今年第1季記憶體營收持續穩坐全球龍頭，市場調查機構預期明年整體記憶體市場規模將較今年大幅擴大。一家法系調查機構分析指出，憑藉兩家公司持續擴大的投資與政府支持，韓國可望在未來數年持續維持記憶體領域的領先地位；不過該機構也提到，隨著AI市場重心從訓練逐漸轉向推論，新產品開發週期加快將成為新的變數。

韓國現況國內市場對此次發表反應熱烈，焦點集中在兩家公司選擇了截然不同的方向。證券業人士指出，三星電子與SK海力士股價在發表後皆出現小幅上漲，關鍵在於三星電子的垂直整合策略能否真正獲得大型客戶採用，以及SK海力士的開放式標準能吸引多少企業加入。海外調查機構預測韓國將維持記憶體領域龍頭地位至2031年的說法，也同步成為市場熱議話題。