截至2026年8月19日,南韓法庭傳出驚人證詞:中國記憶體大廠CXMT自設立之初,便鎖定取得三星電子的半導體製程技術。曾參與CXMT創立的前三星電子研究員出庭作證,證實了這項說法。這名證人本身已在一審因技術外洩罪名遭重判。
重點整理
- 曾參與CXMT創立的前三星電子研究員全某(56歲)於8月11日出庭首爾中央地方法院,以證人身分作證。
- 他證稱CXMT經營層在沒有自主研究機構或生產設備的情況下,自設立初期便以取得三星電子的D記憶體製程資訊為目標。
- 外洩對象資料為三星電子斥資1兆6000億韓元開發之18奈米D記憶體製程中,共618道關鍵步驟的相關資料。
- 全某2016年跳槽至CXMT時涉嫌洩漏該技術,遭起訴後於今年4月一審被判處有期徒刑7年。
在南韓對中國半導體企業CXMT(正式名稱:長鑫存儲科技)提起的三星電子技術外洩刑事訴訟中,法庭上出現了一段出人意料的證詞。曾參與該公司創立初期的前三星電子研究員全某(56歲)於8月11日出庭首爾中央地方法院刑事合議32部(審判長柳京振)的審理,以證人身分表示,該公司經營層從一開始便計畫吸收三星電子的技術來開發產品。根據他的證詞,公司成立當時並未具備獨立的研究組織或生產設備,也完全沒有自主研發技術的意願。
全某也證稱,公司內部依照出身國籍不同,存在不同的報告審核標準。他表示,公司內部曾有人質疑,為何台灣籍員工撰寫的報告會被直接採納,南韓籍員工提供的資料卻不被反映。據悉,本案中出問題的資料,包含D記憶體製造過程中618道細部製程的核心內容。
出庭作證的全某本人也是本案被告之一。他在三星電子任職28年後,於2016年轉職至該公司,並被控無故洩漏三星電子斥資1兆6000億韓元完成的18奈米級D記憶體製程相關資訊,今年4月一審遭重判有期徒刑7年。值得注意的是,他在自己的審判中並未透露公司層級介入的相關情況,如今卻在其他被告的審判中改口作證,即將展開的二審中是否會有進一步陳述,也備受各界關注。
檢方自2024年展開調查,已將包含全某在內的10餘名研發人力,以違反國家核心技術境外洩漏等罪名起訴。檢方認為,該公司透過延攬三星出身人才、吸收核心技術的方式快速壯大,並認為2023年該公司成為中國企業中首家量產10奈米級D記憶體的背後,也與這類人才外流脫不了關係。結果該公司在設立僅10餘年後,便躍居全球D記憶體市場占有率第4名,僅次於三星電子與SK海力士。
法界人士分析,若這項證詞獲得採信,可望成為三星電子主張營業秘密遭侵害的重要依據。這也是為何外界討論,南韓國內的偵查與審判紀錄,未來可能被用作向美國國際貿易委員會(ITC)提告該公司的基礎。
常見問題
CXMT是一家什麼樣的企業?
CXMT是中國最大的D記憶體生產企業,設立僅10餘年便躍居全球D記憶體市場占有率第4名,僅次於三星電子與SK海力士。
這次證詞為何重要?
這項證詞顯示三星電子技術外洩可能並非個人行為,而是公司層級的有組織行動,可能成為未來法律應對的重要依據。
出庭作證的全某受到什麼樣的處分?
他今年4月一審被判處有期徒刑7年,二審審理即將展開。



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