CXMT元社員「設立時からサムスン技術狙う」法廷証言波紋

中国半導体企業CXMT(長鑫存儲技術)を巡るサムスン電子技術流出の刑事裁判で、思わぬ証言が飛び出しました。同社の設立初期メンバーだった元サムスン電子研究員チョン氏(56)が11日、ソウル中央地方裁判所刑事合議32部(裁判長ユ・ギョンジン)の審理に証人として出廷し、経営陣レベルで当初からサムスン電子の技術を吸収して製品を開発する計画があったと明らかにしました。同氏の証言によれば、同社は設立当時、独自の研究組織や生産設備を持たない状態で、独自技術開発に取り組む意志自体がなかったといいます。

チョン氏は社内で出身国別に報告の扱われ方が異なっていたとも証言しました。台湾出身者が作成した報告書はそのまま受け入れられる一方、韓国出身者の資料はなぜ反映されないのかという不満が社内で出ていたというのです。今回の事件で問題となった資料は、DRAM製造過程で経る618の詳細工程に関する核心内容を含んでいると伝えられています。

証人として出廷したチョン氏自身も、この事件の被告人の一人です。サムスン電子で28年間勤務した後、2016年に同社へ移籍する際、サムスン電子が1兆6000億ウォンを投じて完成させた18ナノ級DRAM工程の情報を無断で渡した容疑を受け、今年4月の1審で懲役7年という重い刑を言い渡されました。自身の裁判では組織的関与について明かさなかった同氏が、他の被告人の裁判では一転して証言した形で、まもなく始まる控訴審でどのような発言をするかにも注目が集まっています。

検察は2024年から捜査を進め、チョン氏を含む開発人材10人余りを国家核心技術の国外流出容疑などで起訴しました。検察は、同社がサムスン出身人材を引き抜き核心技術を吸収する形で急速に規模を拡大したとみており、2023年に中国企業として初めて10ナノ級DRAM量産に成功した背景にもこうした人材流出があったとの見方を示しています。その結果、同社は設立から10年余りでサムスン電子、SKハイニックスに次ぐ世界DRAM市場シェア4位の座に上り詰めました。

法曹界では、今回の証言が事実と認められればサムスン電子が営業秘密侵害を主張する根拠資料になり得るとの見方が出ています。国内の捜査・裁判記録を基に米国際貿易委員会(ITC)へ同社を提訴する案が取り沙汰されているのもこのためです。