2026년 8월 6일 기준 삼성전자는 처리장치 위층에 메모리를 얹는 새로운 구조 'zHBM'을 세계 최초로 선보였다고 밝혔다. 이 구조는 미국에서 열린 FMS 2026 전시회에서 콘셉트 모델로 처음 소개됐으며, 기존 8세대 HBM5보다 훨씬 높은 성능을 낼 것으로 예상된다.
핵심 정리
- 삼성전자가 처리장치 바로 위에 메모리를 쌓아 올리는 새 구조 zHBM 콘셉트 모델을 미국 산타클라라 FMS 2026에서 세계 최초로 선보였다.
- zHBM은 아직 상용화 전인 HBM5 대비 성능 최대 4~8배, 전력 효율 3배 이상 향상이 기대된다.
- 같은 행사에서 400단을 넘는 V10 BV낸드와 온디바이스 AI용 zNAND-O도 세계 최초로 공개됐다.
- 삼성전자는 메모리·로직·파운드리·패키징을 모두 갖춘 역량을 바탕으로 AI 반도체 통합 솔루션을 강조했다.
삼성전자가 미국 캘리포니아주에서 사흘간 열린 메모리·스토리지 분야 최대 규모 전시회인 FMS 2026 무대에 올라, 차세대 메모리 구조 zHBM의 콘셉트 모델을 세계 최초로 선보였다. 행사는 8월 4일부터 6일까지 진행되며, 삼성전자는 이 자리에 D램과 낸드, 스토리지를 아우르는 제품 30여 종을 전시했고, 부스 디자인은 인공지능 클라우드 서버의 형태를 본떠 눈길을 끌었다.
zHBM은 그래픽처리장치나 AI 가속기 옆에 나란히 배치하던 기존 방식에서 벗어나, 메모리를 처리장치 바로 위층에 쌓아 올리는 구조다. 회사 측은 아직 상용화되지 않은 8세대 규격 HBM5와 견주어 성능이 최대 4~8배, 전력 효율은 3배 넘게 향상된다고 설명했다. 발열 부담을 뜻하는 열저항 수치도 절반 아래로 떨어질 것으로 내다봤으며, 메모리와 가속기 사이 인터레이어에 고객사별 맞춤 설계를 넣어 용량과 성능을 조정하는 것도 가능하다고 밝혔다.
같은 자리에서 삼성전자는 400단을 넘는 적층 구조의 낸드 신제품 'V10 BV낸드'도 세계 최초로 공개했다. 셀과 회로를 따로 만든 뒤 수직으로 붙이는 접합 기술과 웨이퍼 접합, 3단 분할 제조 방식을 결합해 이전 세대보다 메모리 집적도가 58% 높아졌다는 설명이다. 삼성전자는 대형 인공지능 모델 데이터 가운데 자주 호출되는 부분만 낸드에 담아두는 'zNAND-O' 구조를 통해, 성능 저하 없이 메모리 구축 비용을 종전 대비 약 6분의 1로 줄일 수 있다고 설명했다.
행사 기조연설에서 삼성전자 D램개발실 임원은 에이전트형 인공지능 확산에 따라 최근 2년간 추론 작업에서 쓰인 토큰 양이 100배 넘게 늘었고, 이 때문에 메모리가 인공지능 시스템의 병목 지점으로 지목됐다는 설명도 곁들였다. 삼성전자 이진엽 부사장은 메모리와 로직 반도체, 파운드리, 첨단 패키징까지 모두 아우를 수 있는 곳은 삼성뿐이라고 말하며, 이 역량을 발판 삼아 인공지능 반도체 전 영역의 통합 솔루션을 제공하겠다는 목표를 밝혔다.
자주 묻는 질문
zHBM은 기존 HBM과 어떻게 다른가요?
기존 HBM은 처리장치 옆에 나란히 배치됐지만, zHBM은 처리장치 위에 수직으로 쌓아 데이터 이동 거리를 줄인 구조다.
zHBM은 언제부터 실제 제품에 쓰이나요?
이번에 공개된 것은 콘셉트 모델로, 구체적인 상용화 일정은 아직 확정되지 않았다.
FMS 2026은 어떤 행사인가요?
미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열리는 세계 최대 규모의 메모리·스토리지 전문 전시회다.


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